Laboratoire de recherches : Laboratoire Physique de la matière
Directeur de thèse : M. Gérard GUILLOT - M. Jean-Marie BLUET
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VI. CONCLUSION
Dans ce chapitre, nous avons présenté le matériau SiC et mis en relief ses propriétés physiques et électroniques. Il apparaît notamment que le SiC est particulièrement adapté pour des applications haute puissance et haute fréquence.
La mise en place d’une source commerciale de substrats SiC (CREE) et l’amélioration de la
qualité cristallographique de ce matériau ont permis de fabriquer des composants SiC réellement fonctionnels. Cependant, La commercialisation de ces composants est malgré tout encore à ses débuts. La principale limitation porte sur la qualité du matériau qui reste encore insuffisamment maîtrisée et relativement mauvaise comparée aux autres semiconducteurs exploités industriellement tels que le silicium et l’arséniure de gallium. En effet, les densités de défauts cristallins (dislocations, micropipes, joints de grains, etc.) sont encore très élevées.
Le développement de filière SiC passera donc par l’amélioration de la qualité des substrats et des couches épitaxiales. L’effort porte maintenant sur la diminution des densités de défauts
CHAPITRE I : Présentation du SiC et imagerie de défauts structuraux 32 structuraux et sur la maîtrise du dopage et le contrôle de son homogénéité. C’est dans ce cadre que s’inscrit ce travail de thèse : caractériser les cristaux de SiC par imagerie de photoluminescence, technique très puissante et non destructive, afin d’analyser les défauts présents dans le matériau et de détecter les non uniformités spatiales des propriétés électriques tels le dopage et la durée de vie des porteurs.
MOTS-CLES : Carbure de silicium, caractérisation, photoluminescence, imagerie de photoluminescence, Raman, défauts, durée de vie