Developing Ultrasensitive and CMOS Compatible ISFETs in the BEOL of Industrial UTBB FDSOI Transistors

Doctorant : Getenet Tesega AYELE

Laboratoire INSA : INL
Ecole doctorale : ED160 Electronique, Electrotechnique, Automatique

Les ion-sensitive field-effect transistors (ISFETs) sont des capteurs à l'état solide (bio)chimiques, destinés à la détection des ions pH (H+), Na+ et K+, qui promettent des fonctionnalités très recherchées des dispositifs CMOS. Malgré cela, la commercialisation des ISFETs est encore à ses balbutiements, après près de cinq décennies de recherche et développement. Cela est dû principalement à la sensibilité limitée, à la controverse sur l'utilisation de l'électrode de référence pour le fonctionnement des ISFETs et à des problèmes de stabilité. Dans cette thèse, les ISFETs ultrasensibles et compatibles CMOS sont intégrés au BEOL des transistors UTBB FDSOI standard. Un circuit diviseur capacitif est utilisé pour polariser la grille d’avant afin d'assurer des performances stables du capteur.
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