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La mémoire vive magnétique, ou MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), est un dispositif permettant de stocker des bits de données à l'aide de charges magnétiques au lieu des charges électriques utilisées par la mémoire vive dynamique (DRAM, Dynamic Random Access Memory).
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un métal comme magnétorésistif si sa résistance électrique subit une légère modification lorsqu'il est placé dans un champ magnétique. En combinant la vitesse élevée de la RAM statique et la haute densité de la DRAM, la MRAM permettrait, selon ses créateurs, d'améliorer considérablement les appareils électroniques. En effet, il serait possible d'y stocker de plus grandes quantités de données, afin de les rendre accessibles plus rapidement tout en économisant la batterie.
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conserve les données même lorsque l'appareil est mis hors tension
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deux écoles scientifiques : 1) la spintronique ou magnétoélectronique, la science qui produit les têtes à magnétorésistance géante utilisées dans les disques durs et 2) la magnétorésistance à effet tunnel, ou TMR (Tunneling Magnetic Resistance), technologie sur laquelle devraient reposer les futures MRAM.
Mise à jour en janvier 2017
La Spintronique : pour une électronique frugale en énergie - Diffusée en direct le 13 févr. 2025 / Société d'Encouragement pour l'Industrie Nationale
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La Spintronique : pour une électronique frugale en énergie. Une révolution, méconnue mais déjà en marche.
Avec Claude Fermon, directeur de recherche au Commissariat à l'Energie Atomique et Dafiné Ravelosona, co-fondateur et directeur technique de la Start-up Spin-Ion Technologies
La modération est assurée par Philippe Robin, président du Comité des Arts Physiques de la Société d’Encouragement pour l’Industrie Nationale
Cycle de conférences PDSI co-organisé par la Société d'Encouragement pour l'Industrie Nationale, l'Association Française pour l'Avancement des Sciences (AFAS), la Société des Ingénieurs et scientifiques de France Ile-de-France, l'association Bernard Gregory, avec le soutien de MR21/EcoLearn, la fondation e5t, BNI St Germain-des-Prés, et Pariscience.
Tr.: ...
électronique de spin, micro-aimant, moment magnétique, électronique électron ou trou = dualité trou/charge
rêve électronique métallique
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effet tunnel ... magnétorésistance tunnel, composant plus performant, appliqué aux disques durs ... MRAM ... réseaux de neurones, apprentissage ... matériaux antiferromagnétiques robustes, aimant très dur sans terres rares ... modifier la réponse du capteur par le design ... microscopie magnétique ... CND détecte des défauts <100 microns ... IRM à très bas champ ex. /bébé prématuré
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Dafiné Ravelosona :
poc preuves de concept ... puces neuromorphiques MRAM non volatile, robuste, frugale, automobile, avions, etc ... encore beaucoup de verrous technologiques ... puce de millions de MRAM fait 1Gbits ! ... 300 étapes de fabrication ... USINES TSMC dans le monde ... 30 couches atomiques ... on a dév un procédé ions hélium He+ / corriger les défauts ... ion léger ... descendre en dimensions car moins de défauts ... dév / MRAM, capteurs magnétiques, composants neuro-morphiques pour l'IA ... Licencier notre tech aux fabricants de puces ... payent pour voir ... équipements de r&d pour les laboratoires ... /GPU puces nvidia consomment beaucoup en permanence car processeur séparé vers les données ... architecture inspiré de neurones, intégration cpu/mémoire ... synapses en réseau ... on programme l'algorithme ... pas de transfert de données ... rendre ce réseau plus intelligent à très faible consommation électrique ex arythmie ...
Questions :
1:04:00 terminer ACT
22 avril 2020 - Physique
Le spin de l’électron – propriété quantique par excellence – est au cœur de la spintronique, une technologie ayant révolutionné le stockage numérique1 et qui pourrait jouer un rôle majeur dans la réalisation de nouveaux processeurs informatiques. Pour générer et détecter des courants de spin, la spintronique recourt traditionnellement à des matériaux ferromagnétiques mais dont l’utilisation entraîne une forte consommation d’énergie. Des chercheurs du laboratoire Spintec (CNRS/CEA/Université Grenoble Alpes) et de l’Unité mixte de physique CNRS/Thales décrivent dans Nature le 22 avril 2020, un dispositif permettant une détection de spin à faible puissance, grâce à un système non magnétique. Leurs travaux ouvrent la voie à des dispositifs spintroniques dans lesquels la détection des spins des électrons serait permise, non plus par le ferromagnétisme, mais par la ferroélectricité, ce qui consommerait 1000 fois moins d’énergie.
Pour en savoir plus sur la spintronique : https://lejournal.cnrs.fr/articles/les-nouveaux-defis-de-la-spintronique